A~E
LED專有名詞
AlGaN 氮化鋁鎵: 其特性為band gap 大於GaN 所以一般其function 為block layer 降低電子速度提高電子電洞復合率 進而提高光產出效率。
Ambient[Lv](輝度) 從某一指定方向所觀察到單位投影面積上的發光強度,也可以表示物體或光源等的光輝程度。也就是說單位正射影面積內的光度。
BEOL, Back-End-of-the-Line (後段製程) BEOL 指Chip 後段製程,後段製程為依照電性將相同光電特性規格 (同一bin) 放在同一個blue tape 因為排列為方形所以產出又稱為方片。
CB layer CB (current block 縮寫) 其主要功能為阻檔finger 正下方通過電流而發光,此層可以幫助提升光取出效率 , 缺點 operation volatage 會上升。
Chip
晶粒, 在磊晶上製作出電極以及切出一顆顆元件其元件稱為晶粒。

Direcrivily Characteristics

(指向特性)

光度的空間分佈,為一相對值。

Domain Wavelength[WD]

(主波長)

簡單的說就是人類視覺上的波長。
E-Gun Electron Gun 是指電子槍,這是一個非正式的稱呼 , 是指利用電子槍產生電子後加熱蒸鍍源,所以應該算是蒸鍍一種,目前ITO 與Pad metal 接是用E-gun 機台進行鍍覆。

Electric Thermal Cooler[ETC]

(電冷卻溫度控制)

將電能轉換為溫度差的一種冷卻方式。
Electroluminescent[EL] (電致發光)
電能直接轉變為可見光而不產熱的發光技術。
Epi
磊晶, Epitaxy 縮寫 一般通稱在單一結晶方向上的基板 wafer (在blue LED 為單一方向氧化鋁基板),再長上有方向性排列的薄膜 (在Blue LED 中是為多層的GaN)。
EPI wafer
長在基板上的EPI 一般稱為Epi wafer
Epitaxy
同Epi.
Etching
蝕刻: 配合黃光製程定義出需要移除部份利用蝕刻製程將其移除,一般有分乾式蝕刻如MESA etching 利用ICP 另一個為濕式蝕刻如ITO etching
F~J
LED專有名詞
FEOL, Front-End-of-the-Line (前段製程) FEOL 指Chip 前段製程,前段製程包含5 pep Chip process 以及研磨切割, 此段產出為大圓片。
Film Depo. 薄膜沉積; 一般是利用PVD (physical vapor deposition) or CVD (chemical vapor deposition) 沉積出薄膜 (thin film)
Forward Current[If] (順向電流) 在規定的量測條件下,對應規定之順向電壓值的電極電流。
Forward Voltage[Vf] (順向電壓)
在規定的量測條件下,對應規定之順向電流值的電極電壓或電極間電壓。
GaN
氮化鎵: 在LED磊晶中依照function 分作1. p-type GaN (Mg doped)  2. 主動層 3. n type GaN (Si doped) , GaN 成長溫度約1000~1400C 
Half-Intensity Directional Angle (半功率發射角) 沿著發光二極體大型燈發光面軸心線轉動測光器角度,當測得知發光二極體大型燈光度為 其軸心光度一半時,此位置與發光二極體大型燈發光面軸心線之夾角度hue(色度、色相) : 描述人眼色彩視覺感應強度的一種度量值。
ICP, Inductive Couple Plasma
為高密度電漿一種產生方式,此處是只MESA etching 用的ICP etching
InGaN
氮化銦鎵: 其特性為band gap 小於GaN 所以一般作為主動層中Multi-quantum well 中well 層,其成長溫度低約400~800C
ITO layer ITO (In Sn oxide ) 又稱為透明導電層 (transparent conductive layer TCL): 此層為覆蓋在P-GaN 上方的導電電極。
K~O
LED專有名詞
Leaded lamp
傳統砲彈型 LED燈。
LED big lamp (發光二極體大型燈) 組裝多顆紅綠藍等色的可見光發光二極體模組,施加順向電流調配出各種顏色。
LED, Light Emitting Diode (發光二極體) 是一種半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等;隨著白光LED的出現,也被用作照明。它被譽為21世紀的新型光源,具有效率高,壽命長,不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。
Luminance(照度) 單位面積內所射入光的量,也就是光束除以面積(m2)所得到的值,用來表示某一場所的明亮值。
Luminosity(光度) 光的強度,在某一特定方向角內所放射光的量。
Luminous flux(光通量) 光源在單位時間內所發出的光之能量,簡單說就是發光量。
Lurnlnous lntensity(光度) 將包含以點光源為頂點之規定方向的微小立體角的光束除以其微小立體角的值。
MESA etching 將部份的P-GaN 及主動層利用ICP 蝕刻露出N-GaN,從側面來看是蝕刻出平台(MESA) 所以稱為MESA etching
MOCVD 有機金屬化學氣相磊晶(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)是在基板上成長半導體薄膜的一種方法,其中MO是指半導體薄膜成程中所採用的反應源(precursor)為金屬有機物,而CVD是指所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。
N-GaN N-GaN= N type GaN 是Si 摻雜進入GaN, 目前量產摻雜的手法為在磊晶過程中通入SiH4 氣體。
OLED, Organic Light Emitting Display (有機發光顯示器) 或稱有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode),其發光原理,是在透明陽極與金屬陰極間蒸鍍有機薄膜,注入電子與電洞,並利用其在有機薄膜間複合,將能量轉成可見光。並且可搭配不同的有機材料,發出不同顏色的光,來達成全彩顯示器的需求。
Operation Current(動作電流) 為能得到所規定之顯示性能,而對發光二極體所施加的順向電流 。
Operation Temperature(動作溫度) 能得所規定顯示性能之周圍溫度。
P~T
LED專有名詞
Package 封裝,將晶片,以塑膠、陶磁、金屬等材料被覆,以達保護晶粒避免受到外界污染及易於裝配應用,並達到晶片與電子系統間之電性連接、實體支撐及散熱之效果。
PAD metal layer Pad 是指金屬墊,就是指晶粒電極讓Package 打線的部份,目前晶粒廠內使用metal 種類為Cr/Pt/Au
Passivation layer 保護層目前廠內是利用PECVD 製作出SiO2當作保護層。
Peak Wavelength[WP] (峰值波長) 頻譜中強度最強的波長。
Peak-emission Wavelength (中心發光波長) 在分光分佈,針對發光光譜相對發光強度最大值的波長。
P-GaN P-GaN= p type GaN 是將Mg 摻雜進入GaN, 目前量產摻雜的手法為在磊晶過程中通入含Mg 氣體。
Photo
黃光製程: 一般包含 上光阻 (photo resistor coating) 對位曝光 (aligner exposure) 顯影 (Development) 以及去光阻 (strip)
PSS
Pattern Sapphire Substrate : 指在氧化鋁基板上形成一些凹凸圖案目的為增加磊晶品質以及光取出效率。
Reverse Current[IR] (逆向電流) 在規定的量測條件下,對應規定之逆向電壓值的電極電流。
Reverse Voltage[Vr] (逆向電壓) 在規定的量測條件下,對應規定之逆向電流值的電極電壓或電極間電壓。
Sapphire 氧化鋁基板又稱藍寶石基板目前是使用C plane 氧化鋁基板。
SMD surface-mount device,傳統的電子零件縮小化後的零件統稱,可以用迴銲爐配合錫膏自動焊接。
Solid Angle(立體角) 在距離光點距離d,球面積A的球面上,其周邊對點光源的連線所包含的角度為立體角ω=A/d^2
Spectral Bandwidth (半高波寬) 對應於發光光譜分佈中之相對發光強度最大值一半之波長相互間之波長間隔為光譜之半高波寬,此值決定發光色視感度。
Spectral Wavelength Distriburion (發光光譜分佈)
發光光譜之相對發光強度的波長分佈,亦稱分光分佈,此為一相對值。
Substrate 基板的通稱,在磊晶與晶粒段通指氧化鋁基板。